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　【簡(jiǎn)介特點(diǎn)】

1、焊接溫度：V4真空共晶爐實(shí)際焊接最高溫度≤450℃。
2、極限真空度：≤5x10-4 Pa。
3、溫度均勻性:400mm x 300mm，士2℃ ；200 mm × 200 mm，±3℃。
4、加熱方式：采用底部紅外輻射加熱+頂部紅外輻射加熱，熱板采用半導(dǎo)體級(jí)石墨鍍碳化硅平臺(tái).石墨鍍碳化硅平臺(tái)長(zhǎng)期使用不易變形，而且具有很高導(dǎo)熱性，使熱板表面溫度更加均勻。
5、設(shè)備配備了CCD視覺(jué)可視系統(tǒng)，視野≥400mm×300mm，像素≥800w。可清晰捕獲樣品可視焊膏融化形態(tài)以及虛焊、橋接、偏移等缺陷類(lèi)型。
6、監(jiān)視窗口：視覺(jué)監(jiān)控窗口：≥1個(gè)。
7、配置真空干泵抽速≥36m3/h。
8、滿(mǎn)足各種焊料（≤450℃）的焊接要求。例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等預(yù)成型焊片（可無(wú)助焊劑共晶焊接）和各種成份的焊膏。
9、焊接空洞率：V4真空燒結(jié)爐在軟釬焊料焊接時(shí)，經(jīng)過(guò)大量客戶(hù)驗(yàn)證，空洞率可控制在3%以下。
10、可選正壓模塊：設(shè)備可以選配正壓模塊≤0.2Mpa，可滿(mǎn)足正壓、負(fù)壓工藝要求。正壓工藝可有效解決微小器件在焊接過(guò)程中移位問(wèn)題（MiniLED、MicroLED等）、解決焊膏工藝助焊劑飛濺問(wèn)題（引線框架類(lèi)產(chǎn)品。
11、控溫系統(tǒng)及測(cè)溫系統(tǒng)V4真空燒結(jié)爐采用先進(jìn)的控溫技術(shù)，控溫精度在±1℃。V4真空燒結(jié)爐溫度曲線可設(shè)定最多40段溫度，并配置3組PID(6組可選)設(shè)定，更精準(zhǔn)控制溫度，保證焊接一致性及可靠性。溫度控制屬于滯后控，而PID控制是具有超前調(diào)節(jié)的作用，可提高控溫精度以及穩(wěn)定性。V4真空燒結(jié)爐腔體內(nèi)標(biāo)配6路測(cè)溫?zé)犭娕迹�設(shè)備工作時(shí)可實(shí)時(shí)反饋腔體內(nèi)任意位置的溫度，并在控制軟件中實(shí)時(shí)顯示測(cè)溫的溫度曲線，更好的保證焊接區(qū)域的溫度控制，為取得良好的工藝曲線提供支持。
12、腔體氣氛環(huán)境V4真空燒結(jié)爐可充入氮?dú)舛栊詺怏w輔助焊接，同時(shí)滿(mǎn)足甲酸、氮?dú)浠旌蠚怏w（5%氫氣95%氮?dú)猓┻�原氣氛工藝。工藝氣氛可由時(shí)間或者由MFC質(zhì)量流量計(jì)精準(zhǔn)控制，保證每次設(shè)定工藝完成的一致性。滿(mǎn)足無(wú)助焊劑情況下焊接。
13、V4真空共晶爐配置軟件控制系統(tǒng)：軟件控制系統(tǒng)基于Windows操作系統(tǒng)，操作簡(jiǎn)單。可通過(guò)溫度、時(shí)間、壓力、真空等工藝條件進(jìn)行工藝編程，軟件工藝自動(dòng)控制整個(gè)工藝過(guò)程。工藝曲線編程的工藝動(dòng)作無(wú)限多個(gè)，滿(mǎn)足復(fù)雜工藝要求。設(shè)備主界面實(shí)時(shí)顯示焊接過(guò)程溫度、HCOOH、氮?dú)獾葰怏w狀況及真空度，同步生成實(shí)時(shí)曲線并自動(dòng)保存，全面直觀呈現(xiàn)焊接關(guān)鍵參數(shù)與狀態(tài)，確保過(guò)程可監(jiān)控可追溯。軟件控制系統(tǒng)可自動(dòng)實(shí)時(shí)記錄焊接工藝及控溫、測(cè)溫曲線，按工作時(shí)間存對(duì)應(yīng)目錄，保障工藝可追溯性；同時(shí)支持升降溫可編程控制，能依工藝設(shè)置自動(dòng)生成曲線，且可編輯、修改、存儲(chǔ)。
14、V4真空共晶爐采用全自動(dòng)閉合式腔體結(jié)構(gòu)，保證長(zhǎng)期使用的可靠性，使用過(guò)程中上蓋自動(dòng)關(guān)閉時(shí)不會(huì)造成器件移位，避免器件震動(dòng)影響焊接質(zhì)量。單腔室工藝同時(shí)滿(mǎn)足加熱和冷卻的要求。
15、V4真空共晶爐，上蓋帶有視窗，可通過(guò)顯微鏡觀察器件燒結(jié)過(guò)程。上蓋自動(dòng)升降，除手工取放件外，其它操作軟件自動(dòng)控制完成。
16、V4為石墨鍍碳化硅加熱平臺(tái)。
17、V4冷卻方式采用中科同志第五代冷水技術(shù)，加熱時(shí)水冷不影響熱場(chǎng)的溫度均勻度，冷卻時(shí)每個(gè)加熱板有六組獨(dú)立的水冷裝置，冷卻時(shí)溫度均勻度更高。特別適合金錫共晶、銦焊料共晶的高質(zhì)量封裝焊接。
 
【標(biāo)配】
1、主機(jī)一臺(tái)
2、工業(yè)級(jí)控制電腦一臺(tái)
3、真空燒結(jié)爐控制軟件系統(tǒng)一套
4、氮?dú)鈿夥障到y(tǒng)、甲酸氣氛系統(tǒng)    
5、MFC質(zhì)量流量計(jì)一臺(tái)
6、石墨鍍碳化硅加熱平臺(tái)    
 
【選配】
1. 真空泵（機(jī)械干泵）
2. 分子泵系統(tǒng)
3.氮?dú)鋽?shù)字化混合氣氛系統(tǒng)
4.正壓模塊
5.CCD視覺(jué)/顯微鏡
6.氮?dú)浠旌蠚鈿夥?br />
【技術(shù)參數(shù)】